BJT gegen FET
Sowohl BJT (Bipolar Junction Transistor) als auch FET (Field Effect Transistor) sind zwei Arten von Transistoren. Der Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das ein sich stark änderndes elektrisches Ausgangssignal für kleine Änderungen kleiner Eingangssignale liefert. Aufgrund dieser Qualität kann das Gerät entweder als Verstärker oder als Schalter verwendet werden. Der Transistor wurde in den 1950er Jahren veröffentlicht und kann angesichts seines Beitrags zur Entwicklung der IT als eine der wichtigsten Erfindungen des 20. Jahrhunderts angesehen werden. Verschiedene Arten von Architekturen für Transistoren wurden getestet.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT besteht aus zwei PN-Übergängen (einem Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom ap-Typ und eines n-Halbleiters hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterteilen in der Reihenfolge PNP oder NPN gebildet. Dort stehen für zwei Arten von BJTs PNP und NPN zur Verfügung.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden, und die mittlere Leitung wird als "Basis" bezeichnet. Weitere zwei Knotenpunkte sind "Emitter" und "Collector".
In BJT wird der Strom des großen Kollektor-Emitters (Ic) durch den kleinen Basis-Emitter-Strom (IB) gesteuert, und diese Eigenschaft wird zum Entwerfen von Verstärkern oder Schaltern ausgenutzt. Dafür kann es als stromgesteuertes Gerät angesehen werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkerschaltungen verwendet.
Feldeffekttransistor (FET)
Der FET besteht aus drei Anschlüssen, die als "Gate", "Source" und "Drain" bekannt sind. Hier wird der Drainstrom durch die Gate-Spannung gesteuert. Daher sind FETs spannungsgesteuerte Geräte.
Abhängig von der Art des Halbleiters, der für Source und Drain verwendet wird (im FET bestehen beide aus demselben Halbleitertyp), kann ein FET eine N-Kanal- oder P-Kanal-Vorrichtung sein. Der Stromfluss von Source zu Drain wird durch Einstellen der Kanalbreite durch Anlegen einer geeigneten Spannung an das Gate gesteuert. Es gibt auch zwei Möglichkeiten zur Steuerung der Kanalbreite, die als Verarmung und Verbesserung bezeichnet werden. Daher sind FETs in vier verschiedenen Typen erhältlich, beispielsweise als N-Kanal oder P-Kanal, entweder im Verarmungs- oder im Verbesserungsmodus.
Es gibt viele Arten von FETs wie MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-FET), HEMT (Transistor mit hoher Elektronenmobilität) und IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate). CNTFET (Carbon Nanotube FET), das durch die Entwicklung der Nanotechnologie entstanden ist, ist das jüngste Mitglied der FET-Familie.
Unterschied zwischen BJT und FET
1. BJT ist im Grunde ein stromgesteuertes Gerät, obwohl FET als spannungsgesteuertes Gerät betrachtet wird.
2. Die Anschlüsse von BJT werden als Emitter, Kollektor und Basis bezeichnet, während der FET aus Gate, Source und Drain besteht.
3. In den meisten neuen Anwendungen werden FETs als BJTs verwendet.
4. BJT verwendet sowohl Elektronen als auch Löcher zur Leitung, während FET nur einen von ihnen verwendet und daher als unipolare Transistoren bezeichnet wird.
5. FETs sind energieeffizienter als BJTs.
