BJT gegen IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Transistoren, die zur Steuerung von Strömen verwendet werden. Beide Geräte haben PN-Übergänge und unterscheiden sich in der Gerätestruktur. Obwohl beide Transistoren sind, weisen sie signifikante Unterschiede in den Eigenschaften auf.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT ist ein Transistortyp, der aus zwei PN-Übergängen besteht (einem Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom Typ ap und eines Halbleiters vom n-Typ hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterteilen in der Reihenfolge PNP oder NPN gebildet. Daher sind zwei Arten von BJTs verfügbar, die als PNP und NPN bekannt sind.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden, und die mittlere Leitung wird als "Basis" bezeichnet. Weitere zwei Knotenpunkte sind "Emitter" und "Collector".
In BJT wird der Strom des großen Kollektor-Emitters (I c) durch den kleinen Basis-Emitter-Strom (I B) gesteuert, und diese Eigenschaft wird ausgenutzt, um Verstärker oder Schalter zu entwerfen. Daher kann es als stromgesteuertes Gerät betrachtet werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkerschaltungen verwendet.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, die als "Emitter", "Collector" und "Gate" bekannt sind. Es handelt sich um einen Transistortyp, der eine höhere Leistung verarbeiten kann und eine höhere Schaltgeschwindigkeit aufweist, wodurch er hocheffizient ist. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT verfügt über die kombinierten Funktionen von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Strom-Spannungs-Eigenschaften wie BJTs. Daher bietet es die Vorteile sowohl einer hohen Strombelastbarkeit als auch einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (besteht aus mehreren Geräten) verarbeiten Kilowatt Leistung.
Unterschied zwischen BJT und IGBT
1. BJT ist ein stromgesteuertes Gerät, während IGBT durch die Gate-Spannung angesteuert wird
2. IGBT-Anschlüsse werden als Emitter, Kollektor und Gate bezeichnet, während BJT aus Emitter, Kollektor und Basis besteht.
3. IGBTs sind im Power-Handling besser als BJT
4. IGBT kann als eine Kombination aus BJT und einem FET (Field Effect Transistor) betrachtet werden.
5. IGBT hat im Vergleich zu BJT eine komplexe Gerätestruktur
6. BJT hat im Vergleich zu IGBT eine lange Geschichte
