BJT gegen SCR
Sowohl BJT (Bipolar Junction Transistor) als auch SCR (Silicon Controlled Rectifier) sind Halbleiterbauelemente mit abwechselnden Halbleiterschichten vom P- und N-Typ. Sie werden aus vielen Gründen wie Effizienz, geringen Kosten und geringer Größe in vielen Schaltanwendungen eingesetzt. Beide sind drei Endgeräte und bieten einen guten Steuerstrombereich mit einem kleinen Steuerstrom. Beide Geräte haben anwendungsabhängige Vorteile.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT ist ein Transistortyp und besteht aus zwei PN-Übergängen (einem Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom Typ ap und eines Halbleiters vom n-Typ hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterteilen in der Reihenfolge PNP oder NPN gebildet. Dort für zwei Arten von BJTs bekannt als PNP und NPN.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden, und die mittlere Leitung wird als "Basis" bezeichnet. Weitere zwei Knotenpunkte sind "Emitter" und "Collector".
In BJT wird der Strom des großen Kollektor-Emitters (I c) durch den kleinen Basis-Emitter-Strom (I B) gesteuert, und diese Eigenschaft wird zum Entwerfen von Verstärkern oder Schaltern ausgenutzt. Dafür kann es als stromgesteuertes Gerät angesehen werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkerschaltungen verwendet.
Siliziumgesteuerter Gleichrichter (SCR)
SCR ist eine Art Thyristor und wird häufig in Stromgleichrichtungsanwendungen verwendet. SCR besteht aus vier alternierenden Halbleiterschichten (in Form von PNPN) und besteht daher aus drei PN-Übergängen. In der Analyse wird dies als ein eng gekoppeltes Paar von BJTs betrachtet (ein PNP und ein anderes in NPN-Konfiguration). Die äußersten Halbleiterschichten vom P- und N-Typ werden Anode bzw. Kathode genannt. Die mit der inneren P-Halbleiterschicht verbundene Elektrode ist als "Gate" bekannt.
Im Betrieb wirkt SCR leitend, wenn dem Gate ein Impuls zugeführt wird. Es arbeitet entweder im "Ein" - oder "Aus" -Zustand. Sobald das Gate mit einem Impuls ausgelöst wird, geht der SCR in den Zustand "Ein" und leitet weiter, bis der Durchlassstrom unter den als "Haltestrom" bekannten Schwellenwert fällt.
SCR ist ein Leistungsgerät und wird meistens in Anwendungen verwendet, in denen hohe Ströme und Spannungen auftreten. Die am häufigsten verwendete SCR-Anwendung ist das Steuern (Gleichrichten) von Wechselströmen.
In Kürze:
Unterschied zwischen BJT und SCR
1. BJT hat nur drei Halbleiterschichten, während SCR vier Schichten davon hat.
2. Drei Anschlüsse von BJT sind als Emitter, Kollektor und Basis bekannt, während SCR Anschlüsse hat, die als Anode, Kathode und Gate bekannt sind
3. SCR wird in der Analyse als eng gekoppeltes Transistorpaar betrachtet.
